2004년04월04일 37번
[임의 구분] 접합형 FET의 전달 콘덕턴스 gm을 나타내는 식은? (단, 핀치오프전압 Vp는 일정하며, 드레인의 전류 변화분을 △ＩD, 게이트의 전류 변화분을 △ＩG, 게이트 소스간의 전압 변화분을 △VGS, 드레인과 소스간의 전압변화분을 △VDS라 한다.)
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①
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②
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③
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④
(정답률: 알수없음)
문제 해설
접합형 FET의 전달 콘덕턴스 gm은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
gm = △ＩD / △VGS
즉, 게이트 소스간의 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화량을 나타내는 △ＩD와 게이트 소스간의 전압 변화량을 나타내는 △VGS의 비율을 전달 콘덕턴스 gm으로 정의한다.
따라서, 보기에서 정답이 "" 인 이유는 이 식에서 △ＩD와 △VGS의 비율이 가장 크기 때문이다. 즉, 게이트 소스간의 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화량이 가장 크기 때문에 전달 콘덕턴스 gm이 가장 크다는 것을 의미한다.
gm = △ＩD / △VGS
즉, 게이트 소스간의 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화량을 나타내는 △ＩD와 게이트 소스간의 전압 변화량을 나타내는 △VGS의 비율을 전달 콘덕턴스 gm으로 정의한다.
따라서, 보기에서 정답이 "
" 인 이유는 이 식에서 △ＩD와 △VGS의 비율이 가장 크기 때문이다. 즉, 게이트 소스간의 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화량이 가장 크기 때문에 전달 콘덕턴스 gm이 가장 크다는 것을 의미한다.