2005년04월03일 48번

[안전관리]
게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si)에 어떤 불순물을 섞어야 P형 반도체가 되는가?

① 비소
② 인
③ 안티몬
④ 인듐

(정답률: 49%)

문제 해설

P형 반도체는 전자를 적게 가지고 있고 양공을 많이 가지고 있는 반도체입니다. 따라서, 게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si)에는 전자를 적게 가지고 있는 인듐(In)을 불순물로 섞어야 합니다. 인듐은 3가 양이온으로 작용하여, 게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si)의 4가 원자와 결합하여 3가 양공을 만들어 P형 반도체를 형성합니다.

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